Was würdest du denn empfehlen?
Der Author gibt ja selbst zwei - wenn ich die Liste richtig interpretiere - ziemlich verschiedene Transistoren an
Hmmm, das ist so leider nicht so einfach zu sagen, denn aus der Schaltung geht leider nicht die Wahl des Arbeitspunktes hervor, der für ein reverse engineering erforderlich wäre. Man kann da also nur einen Blindflug machen!
Ich gehe davon aus, daß die UGS=UP/2 gilt. Dann vernachlässige ich R4 und C4.
Mit R2 und R3 kann ich dann eine theoretische Verstärkung von 1,26 ermitteln und daraus folgt bei UB=9V dann UP = -3,11V
Dann wird ID= 3,11V/2/27kOhm=57,6µA und IDss=230µA. Dieser Wert ist so gering, daß er schon sehr unglaubwürdig klingt!
Aber UP=-3,11V wäre nicht ungewöhnlich und würde für den 2N4392 sprechen. Allerdings der Strom...
Geht man im besten Fall von einem ID=16mA aus (2N4393), dann wäre eine Source-Spannung von 27kOhm*16mA=432V die Folge! Das ist von 1,75V ein wenig entfernt und wie eine 9V-Batterie diese Spannung liefern soll...
Man kann es drehen und wenden, wie man will - für mich paßt das irgendwie nicht zusammen! R2 und R3 sind mir entschieden zu hochohmig!
Bezieht man R4 und C4 mit in die Überlegung ein, dann wäre die Verstärkung rund 125. Bei einem maximalen Ausgangshub von 3V wäre die Vollaussteuerung schon bei einer Eingangsamplitude von 12mV erreicht. Soweit mir bekannt ist, liefern Piezos größere Spannungen als die magnetischen Tonabnehmer. 12mV erscheint mir da deutlich zu wenig!
Die 1N5232 ist eine 5,6V Z-Diode. Das Eingangssignal kann also keine größere Amplitude als 5,6+0,6=6,2V annehmen. Damit wäre der möglich maximale Hub 12,4V! Um ein solche Signal zu übertragen wäre UP<=-12,4V notwendig! Diese Begrenzung wird also niemals "tätig" werden, da der FET schon vorher in die Begrenzung geht. Auf diesem Wege kommen wir also auch nicht weiter.
Unter diesen Umständen scheint mir eine seriöse Empfehlung für einen Transistor schlechterdings unmöglich! Auch die angeblichen Angaben des Autors passen nicht zum Rest der Dimensionierung.
Wenn man weiß, wie groß die zu erwartende Eingangsspannung ist, kann man einen Transistor mit einer geeigeten UP auswählen. 3V bis 4V könnte eine gute Wahl sein. Anschließend kann man eine ordentliche Dimensionierung berechnen.
Sorry, daß ich Dir keine bessere Auskunft geben kann!
Wenn man von den typischen Werten eines BF245B ausgeht (-3,2V/10,5mA), dann würde ich wie folgt dimensionieren:
UGS=-1,6V
R3=620Ohm
R2=1,1kOhm
R4=270Ohm
Die Verstärkung wäre dann ungefähr 4. Vollaussteuerung würde bei einem Eingangssignal von 736mVs erreicht, was einem Effektivwert von 520mV entspricht.
Ulf
